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火藍動態
半導體芯片制造之封裝技術
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發布時間:
2019-06-06 17:03
摘要:
半導體芯片制造及封裝技術
芯片制造的簡單科普
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發布時間:
2019-06-06 09:40
摘要:
當今市場上幾乎所有的電子商品,或多或少都會用幾片集成電路(IC)來控制各種功能,復雜的如電腦中的CPU,GPU(圖形處理器),簡單的如電池中防止過度充電的控制電路。不論多復雜,絕大多數集成電路說穿了就是在單晶硅(Si)上做出成千上萬的晶體管,電容,導線,絕緣體等等微小的元件,這些元件連接在一起就可以快速地處理執行各種各樣的任務。一、為什么選擇硅??1、硅具有良好的半導體特性,而且高溫下極其穩定(鍺就是因為高溫性能差而無法廣泛應用,雖然是同族元素而且電子的移動速度還更快)。常溫下硅的導電性能并不好,因為每個硅原子外層都有四個電子,而每個硅原子都與四個硅原子形成穩定的化學鍵(每個化學鍵需要兩個電子),這樣就沒有額外的電子來用于導電。但是如果往硅單晶里摻入一點點雜質,比如硼(B)或是磷(P),那么其導電性便會成幾何級數倍地提高。磷原子外層有五個電子,當一個磷原子取代一個硅原子的位置后,那么就多出了一個可以自由移動的電子,這樣導電性能就大大提升了。硼原子外層只有三個電子,當一個硼原子代替一個硅原子的位置之后,則多出了一個帶正電荷的空穴,導電性同樣也提高了。雜質濃度越高,導電性越好。2、做IC的半導體材料需要極高的純度,不能有別的雜質(除了特意添加的B、P等等之外),而硅這種東西相對容易得到,其起始原料來源就是我們常見的沙(成分是二氧化硅),而且也比較容易提純。3、硅的氧化產物二氧化硅是一種絕佳的絕緣體,而且耐高溫,這個特性讓硅成為半導體材料的最佳選擇,因為在集成電路中,除了需要容易導電的的介質,也需要容易加工制造的絕緣層,這樣才不容易出現漏電現象。4、當然,到了5納米技術點(5nmnode),開始出現了把鍺(Ge)加入到硅(Si)中,以SiGe形式作為導電通道(channel)的技術,這樣是為了加快電子的移動速度和取得更高的電流(drivecurrent).??二、晶體管(transistor)的工作方式???這里說的晶體管不是我們小時候熟悉的那種收音機里用的晶體三級管,而是一種叫場效應晶體管(MOSFET-metal-oxide-semiconductorfield-effect-transistor),如圖示。它的基本工作原理是這樣的:電荷從硅本底(B)的上層流過,上面隔著一層絕緣層(圖中的白紫色,通常是二氧化硅),絕緣層上面則有一個叫門(gate)的部份,在這部份上加上或不加上電壓就可以決定底下硅上層這股電流通過或不通過,也就是“1”和“0”兩種狀態,這就組成了一個最基本的邏輯單元。譬如,當gate上加了+5伏特的電壓時,硅本底里的電子就會被吸引而往上聚集,這樣一來如果在圖中S(source)和D(drain)兩端加上電壓,電流就會在此之間(channel)產生,這樣的狀態就是“1”。相反的,如果當gate上加了-5伏特的電壓時,channel那里的電子就會被排斥而流向硅本底,這樣S和D之間就不會有電流通過,因為它缺少導電介質-電子,這樣的狀態就是“0”。為了提高電荷的濃度和流動速度,這一層的硅以及接觸的兩點(SourceandDrain)還需要植入一些可以增加導電介質(電子或是空穴)的雜質,如B,P,As等等。????三、邏輯線路的形成??在硅上面制造出成千上萬個晶體管(MOSFET)之后,下一步就是要制造出很多層三維立體錯綜復雜的金屬導線(interconnect),根據不同的接線方式把這些MOSFET連在一起,共同組成有各種用途的邏輯線路。一開始用的是鋁做導線材料,后來開始采用銅導線,相對于鋁來說,銅的電阻值小了40%,相當于提高了15%的微處理器的速度,同時可以減小能量在傳輸過程中的損耗,另外一方面,銅也比鋁導線更耐久更容易加工成更小的尺寸。到了10納米節點,Cobalt開始被用來取代銅導線,目的同樣是為了進一步減小電阻提高導電性。當然,不同的材料做導線時,其加工工藝與設備流程自然會不同,遇到的各種挑戰也是截然不同的。四、IC電路的其他元件與設計挑戰??除了晶體管、導線之外,其他基本元件還有二極管(diode)與電容(capacitor)等等。電容當然還是用來儲存電荷的,元件與元件之間,導線與導線之間,則需要絕緣層,一般是氧化硅,用來斷絕電流的流通。為了提高運算速度,這些元件就得越做越小,加在門(gate)上的有效電壓也越來越低,元件小到現在的10納米,7納米(一納米相當于4-5個原子大小,大概相當于一根頭發絲的直徑的六萬分之一),電壓低到現在的0.65伏左右。這就是為什么手機上的CPU越是用最新工藝制造速度越快也越省電。現今一片CPU集成電路上晶體管的數目多到上千萬個,到了這程度,運算的頻率已經不再是越高越好了,因為導線的電阻越來越大而且因為元件太小而造成的漏電現象也越來越嚴重,很多電能便成消耗在導線及絕緣層上而轉化成了熱能,所以過去幾代的電腦,CPU上附的散熱電扇是功率越來越大。降低能耗也就成了電路設計的重點。一批的新材料新單元設計源源不斷地涌現,運用到了最新幾代IC的設計和制造。?五、制造工藝與設備??那我們怎樣制造這些晶體管,電容,導線,絕緣體呢?說簡單了,就像是在搞市政建設-?該挖溝的地兒就挖溝,該填土的地兒就填土,該鋪路的地兒就鋪路,該架橋的地兒就架橋。只不過這地兒或者比較嬌貴,或者比較純潔,或者比較頑固,能使得上勁的工具還真不容易找到。比如說這挖溝吧,要挖得筆直筆直的,口子還不能有絲毫的擴大或縮小,有時要挖得垂直向下,有時則需要有一定的坡度,而且一般情況下,空曠的地方挖的深度和坡度還得跟狹窄的地方一樣,不能差別太大;有的時候,挖的地兒各種土質還不一樣,有硬層,有軟層,有巖石,有爛泥,還有金屬層,這樣一來用的工具也就不一樣了。填土則有幾種填法,有些也用等離子體(plasma)來產生反應,有些則只是一般氣體的反應,再把產物填到挖出來的溝里,還有的是提供幾種反應物,然后直接在表面上長出一層新東西。建筑這些結構時,有時需要往某一層里灌入一些別種原子,或來加固加固,或來改變這層的物理化學屬性,或來幫忙阻擋其他層的原子在里頭的擴散,就好象往水泥里倒些砂石一樣。鋪路架橋的材料一般是各種金屬,主要是鋁,銅,還有一些其他金屬,多用來提高這些材料跟其他層的接觸和粘合性能,也有用來改變某些層的物理特性,好讓那些電荷們呆得高興自在些,這樣才能心甘情愿地為整體的運作當牛做馬。最后提一下,在建筑這些復雜的層層次次時,需要經過好多次的區域規劃,比方說挖溝時,需要知道在那挖,哪里不能動,不能動的地兒還得蓋上蓋兒保護保護,這就是很值錢的所謂的光刻技術(photolithography),用光和預制好的刻板(光罩)來定義,就像平板印刷技術一樣。每一片集成電路從一開始的單晶硅到最后的成品,都需要經過這樣那樣的幾百道工序。最重要的一些IC制造工藝與設備包括:?1、光刻(photolithography).光刻是IC加工最重要的一步,它是用光透過光罩(mask),投影到一層光敏物質(photoresist)上,再經過處理把曝光或是未曝光的地方洗掉,這樣就可以把光罩的圖案(pattern)縮小數倍之后印在了晶片上。光刻工藝的關鍵是提高解析度,而所采用的光的波長越短其解析度就越高,而所能夠印制的元件的尺寸也就可以越小。所以隨著IC上元件尺寸的縮小,光刻所用的光源也從248nm變成193nm(DUV)到13.5nm(EUV)。最新一代5nmIC工藝應該是開始用EUV的光刻技術了。在這個能量的光子各種物質都會吸收,因此開始需要抽真空,對各個光學器件的要求也更加嚴格,起始光源的能量更是幾何級數倍地增加(因為被吸收而損失)。目前能夠提供EUV商業化光刻技術的只有荷蘭的ASML一家公司。?2、化學氣相沉積(CVD-chemicalvapordeposition)。這是一種最常見的制造薄膜(thinfilm)的工藝。在典型的CVD工藝中,引進一種或多種揮發性前體(precursor),讓其在晶片表面上反應以產生期望的反應產物。反應副產物通常會揮發而被真空泵抽氣除去。為了達到理想的效果,經常需要加溫或是采用等離子體(plasma)技術先行把反應物分子分離成原子或是各種小基團,以降低化學反應的能壘。利用CVD技術制造的薄膜物質包括多晶硅,二氧化硅,氮化硅,金屬鎢等等。CVD除了可以用來制造薄膜之外,還可以用來填溝,比如用二氧化硅來填入溝渠中作為一道絕緣體,杜絕溝兩邊的電子單元相互之間的聯系。3、物理氣相沉積(PVD-physicalvapordeposition)。PVD工藝就是利用濺射(sputtering)或是蒸發(evaporation)的方法把材料從作為靶標(target)的固相轉變成氣相,然后沉積到晶片上成為固態的薄膜。SputteringPVD常見的是用高能量的Ar離子(來自于Ar等離子體)撞擊靶標材料(比如鎢),然后讓被打出來的鎢原子沉積到晶片表面。PVD工藝的優點是直接了當,再硬的材料也可以在晶片表面上沉積成薄膜,缺點則是這是一種視線可及的直線的沉積方式,如果晶片上本底結構是三維立體時,那么邊邊角角的地方就很難完全cover到。在IC制造流程中,PVD工藝主要用于沉積鎢,鈦,氮化鈦等等薄膜,需要利用到高真空技術。同樣的,PVD工藝也可以用來填溝,比如把金屬原子填到哪一個挖好的溝洞里。4、原子層沉積(ALD-atomiclayerdeposition)。這是一種比較新穎的沉積工藝,卻是一種越來應用越廣泛的工藝。它的基本原理如圖示。就是兩種反應物前體(precursor)先后接觸到晶片表面,第一種先吸附,然后多余的被真空泵抽走,第二種再進來,跟表面吸附好的第一種分子(或是離解后吸附在表面的基團)反應,反應副產物和剩余的第二種分子再被真空泵抽走,如此反復,一層一層地在晶片表面長出薄膜。ALD工藝最大的優點就是它可以長出非常均勻的薄膜,不論晶片表面結構是否平整還是高低起伏(三維結構),這在28納米以下的IC技術中非常重要。ALD跟CVD技術最大的區別在于,反應物是一個一個進來,而不是像后者那樣同時進來反應。通常情況下,ALD工藝流程的溫度比較低,遠低于CVD工藝,這也因此造成了ALD薄膜的質量比較差些,比如會容易漏電或是反映到后邊的刻蝕步驟上,這種薄膜太容易被等離子體刻蝕掉。這種情況下,常需要進一步加工硬化ALD薄膜,或加熱或用等離子體里面的離子和活性基團來增強其強度。5、等離子體刻蝕(plasmaetch)。前面提到的幾種工藝是如何往晶片上沉積薄膜,下面則介紹如何在晶片上挖坑。最常用的方法是等離子體刻蝕技術。等離子體(plasma)是物質除了固,氣,液三態外的第四種狀態,基本上是一種混雜的狀態,里面充滿了氣態分子,分解后的原子中性基團,正負離子以及電子。給一密閉容器內的氣體兩極加上高電壓或是加上射頻功率(RFpower),那被擊穿了而閃亮著的氣體混合物就是一種等離子體。只要選擇合適的起始氣體分子或是氣體分子混合物,這樣隨后產生的等離子體就可以用來刻蝕合適的地層-也就是挖溝,我們可以通過調試各種參數來調整這溝的深度和坡度。挖到了下一個不同的地質層,還可以根據“挖運”出來的東西的鑒別來判斷是不是該停了(通過等離子體里產物基團發出的某些特定光波的強度變化來鑒別),然后再換另一組氣體分子等離子體混合物來挖下一層。最常用的兩種刻蝕方式是電感耦合等離子體(ICP-inductivelycoupledplasma)和電容耦合等離子體(CCP-capacitivelycoupledplasma)刻蝕。前者離子濃度大但能量小,后者則是離子濃度小但能量大。不同的刻蝕要求會選擇性地采用不同的設備與制程。最后,刻蝕技術最關鍵的考量是selectivity,uniformityandproductivity.要達到工業化生產要求的刻蝕技術需要通盤考慮到這三點。6、離子注入(ionimplantation)。這種技術就是常溫下用高能量電場把某種雜質離子加速后(比如硼,磷)打入晶片表面以改變其物理、化學或是電性質。離子加速后的能量通常是幾個到幾十個KeV,這取決于目標中
打破封鎖,逆風起飛!華為海思芯片“十年備胎”一夜轉正!
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摘要:
北京時間5月17日凌晨,華為心聲社區轉發該公司海思總裁何庭波致員工的一封信。在信中,何庭波首次披露,海思是多年前成立,預計有一天所有美國的先進芯片和技術將不可獲得,而華為仍將繼續為客戶服務。為了這個假設,海思為公司的生存打造了“備胎”。何庭波在信中提道,“華為被列入美國商務部工業和安全局(BIS)的實體名單”,而為了兌現公司對于客戶持續服務的承諾,華為將所有曾經打造的備胎,一夜之間全部轉‘正’,確保公司大部分產品的戰略安全和連續供應”。5月17日下午,華為消費者業務CEO余承東轉發華為海思總裁致員工信并配上評論稱,消費芯片一直就不是備胎,一直在做主胎使用,華為始終堅持打造自己芯片的核心能力,堅持使用與培養自己的芯片。海思成立于2004年,其前身是創建于1991年的華為集成電路設計中心。該公司是一家半導體和IC設計公司,提供連接和多媒體芯片組解決方案,包括為無線通信、智能設備、數據中心、人工智能、視頻和物聯網應用等領域提供芯片。該公司官網顯示,其擁有7000多名員工,8000多項專利。在海思推出的一眾產品中,麒麟芯片最為外界所知,廣泛應用在華為智能手機產品上。2014年5月,華為首次發布麒麟芯片,并搭載于華為智能手機P7上。隨后,華為多次發布搭載麒麟芯片的智能手機。除了手機芯片,海思的產品還有服務器芯片(鯤鵬系列)、基站芯片、基帶芯片、AI芯片等等。美方供應商股價大跌,A股華為概念股大漲美國時間5月15日,美國總統特朗普簽署行政命令,要求美國進入緊急狀態,禁止美國企業使用任何可能會危害國家安全的公司生產的通訊設備。北京時間5月16日上午,華為發布聲明稱,“封殺令”將使美國在5G建設中落后。在白宮宣布簽署限制令后不久,美國商務部對外表示已將華為和其70家子公司添加到實體名單中。這意味著,華為需要經美國政府批準的情況下才能從美國公司購買零件。外媒援引美國官員稱,這一決定將使華為難以或基本不可能銷售產品,其將在未來幾年生效。美方宣布將華為和其70家子公司添加到實體名單后,華為在美供應商的股價大跌。NeoPhotonic公司是華為的光學元件供應商,當天暴跌20.63%,創下近4年來最大單日跌幅。另一家華為光學元件供應商Lumentum跌11.54%,報50.2美元/股,創6個月來最低跌幅。整體來看,特朗普政府宣布計劃將華為列入“實體清單”后,美國科技股普跌。博通跌2.33%,英特爾微跌0.2%,費城半導體跌1.68%,凌云半導體跌超3%。今日,華為概念股在香港受挫。收盤時,舜宇光學大跌10.41%,瑞聲科技跌3.58%,丘鈦科技暴跌15.77%,比亞迪電子跌11.76%與港股表現不同,A股市場,華為概念股誠邁科技一字漲停封盤,而中科創達下跌0.5%。其他芯片概念股普漲,北京君正、紫光國微漲停,士蘭微、曉程科技、江豐電子一度漲幅均在5%以上,隨后漲幅回落。余承東:堅持打造自己芯片的核心能力5月17日下午,華為消費者業務CEO余承東轉發華為海思總裁致員工信并配上評論稱,“消費芯片一直就不是備胎,一直在做主胎使用,哪怕早期K3V2競爭力嚴重不足,早年華為消費者業務品牌和經營都最困難的時期,我們也始終堅持打造自己芯片的核心能力,堅持使用與培養自己的芯片,同時繼續使用一部分美國芯片及部件!美國這次限制性名單,不僅對于華為,對于美國芯片、軟件、部件等供應商,更是一個巨大損失!”有券商分析師稱,高通內部已經通知,停止給華為供貨。另有半導體行業分析師表示,在中國廠商中,海思雖然在研發上最強,但是華為并未把芯片產業從頭到尾掌握,所以制裁會對華為有一定的影響。在2018年華為的700億美元采購中,大約有110億美元是來自高通、英特爾和美光科技公司等美國公司。截至記者發稿時,高通方面尚未回復記者對此事的詢問。對于海思芯片所受影響,上述半導體分析師表示,如果臺積電與華為保持合作,影響應該不大。臺積電是華為芯片的制造商。由于現代半導體產業鏈高度分工,芯片設計和芯片制造往往由兩家不同的公司完成。截至記者發稿時,臺積電方面尚未對此做出回應。上述半導體分析師表示,華為進入美國BIS的實體名單,不只是芯片和智能終端產品,包括通信設備、服務器等華為內部幾乎所有業務都將受到影響。背后是通信業產業鏈高度分工,部分上游供應無法找到替代供應商。華為的核心供應商名單中,美國供應商占最多,達33家,占比約36%。但對于華為在美國市場的銷售,則影響不大。有業內人士表示,華為僅有部分的通信設備銷售給了部分針對美國地廣人稀的農村提供服務的電信運營商。事實上,自2012年以來,華為在美國就麻煩不斷。美國Verizon和At&t等主要電信運營商一直沒有與華為建立全面合作,華為智能手機業務在美國也未全面展開。華為2018年年報顯示,其銷售收入達7212億元人民幣,同比增長19.5%。從區域來看,來自中國市場收入占比達51.6%、歐洲中東非洲占24.3%,亞太占15.1%,而美洲占6.6%。華為稱會對與其合作的美國公司造成巨大經濟損失2018年8月開始,美國正式以國家安全和外交利益為由,陸續將107家中國機構和個人列入到實體清單,范圍涉及機械、超級計算機、半導體、航空航天、光學儀器等多個領域的龍頭企業、研究機構和個人。2019年5月16日,商務部例行新聞發布會上,在回答美國正在采取行動禁止華為進入美國政府事先批準從美國公司購買零部件和技術的問題時,發言人高峰表示,中方多次強調,“國家安全”概念不應該被濫用,不應該成為推行貿易保護主義的工具。高峰還表示,“我們堅決反對任何國家根據自己的國內法對中國的實體實施單邊制裁,也反對泛化國家安全概念、濫用出口管制措施。我們敦促美方停止錯誤做法,為兩國企業開展正常的貿易與合作創造條件,避免對中美經貿關系造成進一步沖擊。中方將采取一切必要措施,堅決維護中國企業的合法權利。”5月17日,華為再度發聲稱,“BIS的決定,這不符合任何一方的利益,會對與華為合作的美國公司造成巨大的經濟損失,影響美國數以萬計的就業崗位,也破壞了全球供應鏈的合作和互信。華為將盡快就此事尋求救濟和解決方案,采取積極措施,降低此事件的影響。任正非此前曾表示:要有持久戰的心理準備心聲社區于2008年6月上線,此前曾是華為內部論壇。2010年后,華為總裁任正非決定開放心聲社區,讓員工多說真話。不過只有內部員工且擁有W3賬號才能登錄,否則只能作為游客瀏覽。最近幾年,華為公司很多文件第一時間通過心聲社區發布,由員工評價。2018年12月,孟晚舟在加拿大溫哥華被捕,美國要求引渡,隨后其被法院批準保釋。孟晚舟事件之后,華為高層多次利用心聲社區發聲。2019年5月13日,心聲社區發布了其CFO孟晚舟在5月9日給所有華為員工一封名為《謝謝你們,我最親密的伙伴》的信。在這封信中,孟晚舟表示,“從未有機會如此緊密地與18.8萬華為人聯接在一起”。5月16日,心聲社區微信公眾號還推送了華為CDG軟件部總裁王成錄所寫的《讓軟件成為華為手機的硬實力》。王成錄在這篇文章上回憶了華為EMUI如何圍繞用戶體驗發展起來的過程。與芯片類似,操作系統也認為是國產替代的關鍵環節,因為目前國內手機廠商所采用的操作系統基本基于谷歌的Android。目前,心聲社區頭部最顯著位置是一篇任正非4月12日在CNBG誓師大會上的講話,題目叫做“極端困難的外部條件,會把我們逼向世界第一”。任正非在文章中提道:“要保持戰略耐心與定力,面對困難,要心有驚雷,面不改色。我們要有持久戰的心理準備。”
精華 | 芯片制造非常難,但是難到什么程度你知道嗎?
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摘要:
隨著制程的進一步縮小,芯片制造的難度確實已經快接近理論極限了。?首先簡單介紹一下當前芯片先進制程的發展現狀,下圖是近些年芯片制程的發展圖,Intel曾一度處于業內領頭羊地位,引領半導體先進制程的發展,但是從14nm到10nm制程時遇到了很多麻煩,一度處于難產狀態。Intel在10nm量產后又遲遲難以進一步推進,目前7nm量產還沒有一個確定的日期,雖然Intel的10nm工藝有著比競爭對手更高的晶體管密度。?半導體制程發展?我們再來看看競爭對手,目前擁有最先進制程的廠商無疑非臺積電(tsmc)莫屬,臺積電在2018年最早實現了7nm制程的突破并量產,而5nm制程工藝也已指日可待,預計在2020年實現量產。?臺積電制程規劃?緊隨其后的是三星,在臺積電之后也成功實現了7nm制程的量產,所不同的是,三星提前使用了EUV光刻技術來進行7nm工藝,而臺積電則把EUV留到了5nm以后的制程。但是,相對而言,三星的7nm工藝不如臺積電的7nm工藝,臺積電也因此在7nm制程工藝上斬獲了大量的訂單。?三星制程規劃?而曾今從AMD分離的半導體大廠格羅方德則干脆直接放棄了7nm工藝的研發,表示玩不起了。?另外就算有再強的研發實力和經濟實力,也不表示這個游戲可以一直玩下去,詳細內容可以參考以下話題,目前的制程工藝已經在逼近理論極限。?我們再回到這個問題本身上來,半導體制造的難度最主要是制程的實現,半導體廠商之間的競爭也體現在先進制程的突破上。以下將從制程和其他幾個方面作簡單介紹:?先進制程?半導體工藝制程的實現需要很多的工藝相互配合,主要的有光刻工藝,蝕刻工藝,金屬工藝,化學氣相沉積工藝,離子注入工藝等。由于芯片的制造過程中所有的圖形都是有光刻工藝決定的,而其他工藝只是在光刻工藝制作出的模板上進一步加工,因此直接決定制程的就是光刻工藝。光刻工藝的精度又是由光刻機的光學分辨率決定:?ASML設備發展?頂尖光刻機鄰域荷蘭ASML公司一家獨大,每一次制程的進步和新型光刻機的推出都是密不可分的。最新的7nm制程工藝的量產就得益于ASMLEUV光刻機的成功研制,實際上由于大功率EUV光源實現困難,EUV光刻機只到2018年才正式進入量產,而不是上圖計劃中的2010年左右。?ASMLEUV?光刻機除了對分辨率的要求以外,對于對準(Overlay)有更高的要求,比如上圖中最新的EUV光刻機對準的誤差是1.4nm,并且達到這一水平還需要在高速狀態下實現,有一個說法是:?“相當于兩架大飛機從起飛到降落,始終齊頭并進。一架飛機上伸出一把刀,在另一架飛機的米粒上刻字,不能刻壞了。”?實際上這個說法并不夸張,只有在這種精度級別上才能實現目前所需的制程。?當然,光刻工藝精度的提高,對其他蝕刻等工藝也會提出更高的要求,只有所有的工藝都能夠完美的配合時,才能實現新一代制程的導入。?工藝流程?半導體工藝類型只有我上面提到的不到10個(光刻,蝕刻,化學氣相沉積等),但是實際上由于芯片的制備是一層一層的加工制造,并且制程越先進,晶體管密度越大,相應的所需要的層數也越多,因此需要各種類型的工藝反復的進行加工。芯片從晶圓開始加工到結束可能需要300道以上的工序,而任何一道工序稍有失誤就可能導致大量的芯片報廢。并且很多工藝都是沒有挽救余地的,中間只要有一個工藝發生偏差就只能報廢處理,還有很多時候很小的偏差只有等到芯片制造完成進行電性能測試的時候才能發現,這樣造成的損失就更加龐大。?芯片剖面圖?因此在整個工藝流程中,設備的狀態,工藝參數,材料的供應,環境因素等等都可能導致嚴重的后果,例如臺積電最近的兩次事故,對于臺積電這種具有豐富經驗的先進制程半導體廠商都難以預防,那些新建立的芯片制造廠商可能交學費都要交到破產了。??生產運營?建立一條先進制程芯片產線需要大量的資金投入,而維持一條先進制程產線本身也需要大量的資金投入,因此需要保證產線盡可能滿負荷運營才能實現有競爭力的盈利。所以需要保證有充足的訂單,要想拿到訂單又需要有領先的制程技術,領先的制程技術又需要大量的研發經費,很多半導體廠商玩不起就玩不下去了。?生產運營包含提高良品率,提高生產效率,節約成本,事故預防等等,所以芯片制造不只是制造出來就可以,還需要以盡可能低的成本制造出來。
精華 | 一文讀懂封裝測試工藝(超全超詳細)
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摘要:
封裝形式介紹封裝形式的發展
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